收藏本站
NXP Semiconductors
PESD5V0U4BF; PESD5V0U4BW
Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
6. Characteristics
Table 9. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff
-
-
5
V
voltage
I RM
reverse leakage current V RWM = 5 V
-
5
100
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
5.5
6.5
9.5
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz
V R = 0 V
V R = 5 V
-
-
2.9
1.9
3.5
-
pF
pF
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
-
-
100
?
3.0
C d
(pF)
2.6
2.2
006aab036
? V CL ? V BR ? V RWM
I PP
I R
I RM
? I RM
? I R
?
V RWM V BR V CL
+
1.8
0
1
2
3
4
5
? I PP
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
V R (V)
006aaa676
Fig 2.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 3.
V-I characteristics for a bidirectional
voltage; typical values
PESD5V0U4BF_PESD5V0U4BW_1
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2008
5 of 12
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD5V0U5BV,115 DIODE ARRAY ESD BI-DIR SS MINI6
PESD5V0V1BL,315 DIODE BI ESD PROTECT SOD882
PESD5V0V1BLD,315 DIODE ESD PROTECTION SOD-882
PESD5V0V1BSF,315 DIODE BIDIR ESD PROT SOD962
PESD5V0X1BL,315 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882
PESD5V0X1BQ,115 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOT-663
PESD5V0X1UAB,115 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD523
PESD5V0X1UALD,315 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882
相关代理商/技术参数
PESD5V0U4BW 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
PESD5V0U4BW,115 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Quad Bi-Dir 5V 5-Pin RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0U5BF 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
PESD5V0U5BF,115 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Quint Bi-Dir 5V 6-Pin RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0U5BV 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
PESD5V0U5BV,115 功能描述:TVS二极管阵列 Diode TVS Quint Bi-Dir 5V 6-Pin RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0V1BA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD LOW CAPACITANCE SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323, Diode Type:ESD Protection, Clamping Voltage
PESD5V0V1BA,115 功能描述:ESD 抑制器 DIODE BI ESD PROTECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C